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氮化硅陶瓷基板
产品名称: 氮化硅陶瓷基板
材       质:氮化硅
结       构:六方晶体
耐温范围:0~1200℃
适用场所:多晶硅、单晶硅铸锭炉
特       点:

项目

 

单位

Si3N4

SN-90

材料

-

-

Si3N4

颜色

-

-

灰色

表现密度

-

g/?9?2

3.22

表面粗糙度Ra

-

µm

0.4

光反射率

0.3-0.4mmt

%

-

0.8-1.0mmt

-

物理特性

抗折强度

三点弯曲

MPa

800

杨氏模量

-

GPa

310

维氏硬度

-

GPa

15

断裂韧度

IF法

MPa?1?1√m

6.5

热特性

热膨胀系数

40-400°C

10-6/K

2.6

40-800°C

3.1

热导率

25°C

W/(m?1?1K)

85

300°C

-

比热

25°C

J/(㎏?1?1K)

680

电气特性

介电常数

1MHz

-

7.8

介电损耗

1MHz

10-3

0.4

体积电阻

25°C

Ω?1?1㎝

>1014

击穿电压

DC

?9?2/㎜

>15

 

"*数值为典型材料特性,可能会因产品配置和制造工艺的不同而发生变化。欲知详情,请随时联系我公司。

氮化铝陶瓷基板是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷基板,也叫氮化铝陶瓷基片。氮化铝陶瓷是一种高温耐热材料,其热导率高,较氧化铝陶瓷高5倍以上,膨胀系数低,与硅性能一致。使用氮化铝陶瓷为主要原材料制造而成的基板,具有高热导率、低膨胀系数、高强度、耐腐蚀、电性能优、光传输性好等优异特性,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。随着我国电子信息产业蓬勃发展,我国市场对PCB基板的需求不断上升,氮化铝陶瓷基板凭借其优异性能,市场占有率正在不断提升。

 

(1)  和氧化铝基板或氮化铝基板相比,约有两倍以上的抗弯强度。

(2)  和氧化铝基板或ZTA基板相比、拥有三倍以上的热导率。

(3)  高电绝缘性

(4)  热膨胀系数与硅相近

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